杂志简介：《半导体光电》杂志经新闻出版总署批准，自1976年创刊，国内刊号为50-1092/TN，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份双月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：动态综述、光电器件、材料、结构及工艺、光电技术及应用
杂志简介：《半导体光电》杂志经新闻出版总署批准，自1976年创刊，国内刊号为50-1092/TN，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份双月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：动态综述、光电器件、材料、结构及工艺、光电技术及应用
作者：李剑伟; 郑义 刊期：2018年第02期
2μm波段掺铥脉冲光纤激光器由于在人眼安全、激光雷达、生命科学、光通信和医疗等领域有着重要的应用,近年来成为新型光纤激光器的研究热点。以石墨烯为代表的二维材料因其优良的可饱和吸收特性引起人们的广泛关注。分析了碳纳米管、石墨烯、黑鳞及拓扑材料等二维材料作为可饱和吸收体在掺铥脉冲激光器中的应用和发展。对国内外基于二维材料的掺...
作者：赵文伯; 叶嗣荣; 赵红; 罗木昌; 周勋; 杨晓波; 陈扬; 李艳炯; 申志辉; 柳聪 刊期：2018年第02期
结合外延材料工艺、芯片工艺及互连集成工艺具体情况,分析了AlGaN外延材料、探测器阵列芯片及倒焊芯片的均匀性特点,讨论了影响外延材料Al组分分布均匀性、芯片电阻和电容分布均匀性的各种因素。在此基础上,提出了改进器件均匀性的技术途径。利用MOCVD外延材料生长技术,生长了背照式AlGaN-pin异质结构外延材料,并利用所生长的外延材料制作了320×...
作者：刘珊珊; 喻志农; 路洋; 李新国 刊期：2018年第02期
采用溶液法旋涂薄膜、真空蒸镀铝电极,制备了ITO/PEDOT∶PSS/空穴传输材料/量子点/纳米氧化锌（ZnO Nanoparticles）/Al结构的量子点发光二极管（QLED）器件。对比了不同纳米氧化锌分散剂对器件性能的影响。当用乙醇和乙醇胺分散氧化锌时,对量子点层破坏较小,器件的亮度最高达22 940cd/m2,电流效率达28.9cd/A。研究了在聚乙烯咔唑（PVK）中掺杂...
作者：郭亚琼; 陆林 刊期：2018年第02期
提出一种新的光纤光栅反射谱重构方法,通过再生过程中反射谱的重构,对再生规律进行总结。基于耦合模理论,推导了光栅的主要参数,包括栅区长度、周期及折射率调制深度平均值的表达式。结合传输矩阵法中的特征参数,即光栅有效折射率和折射率调制深度对反射谱的影响规律,提出重构方法,并用相关系数进行了评价。进行光纤光栅再生实验记录反射谱的演...
作者：上官春梅; 何巍; 张雯; 骆飞; 祝连庆 刊期：2018年第02期
提出了一种采用化学腐蚀方法制备光纤Fabry-Perot（F-P）位移传感器的方法。采用浓度为40%的氢氟酸溶液腐蚀处理单模光纤端面,通过电弧放电对光纤端面进行熔接,制作光纤F-P传感器,并通过改变传感腔尾纤的粗糙度对其进行优化。实验中,将制备好的F-P腔结构的尾纤端面做未切平和切平处理,得到的条纹对比度分别为16和8dB。分别对两种情况的光纤F-P传...
作者：李冰; 赵瑞莲; 詹萍萍; 王君; 程仕波; 杨晓花 刊期：2018年第02期
对击穿后的导光管式高隔离电压光电耦合器的内部损伤痕迹的研究表明,高电压下器件内部的局部放电引起的持续烧蚀导致了前后级之间的击穿。分析局部放电的部位后,结合附近存在气隙缺陷的情况,在ANSYS下对气隙附近的电场强度分布进行了建模计算。结果表明：局部放电是因气隙内空气的低介电强度所致,并因导电胶的渗透得到加强。在采取结构与工艺措...
作者：聂磊; 张晟; 姜传恺; 张业鹏 刊期：2018年第02期
建立了光模块三维模型,通过有限元仿真分析了器件工作时的温度分布特性。结果表明,屏蔽罩的存在阻挡了芯片换热,影响了芯片的散热效率;利用红外摄像机观测芯片的工作温度,并与仿真结果进行对比,验证了仿真结果的准确性。根据分析结论,提出了改进屏蔽罩结构以提高对流换热效率的优化设计措施。仿真结果表明此方法具有可行性,对光模块产品的结构设...
作者：卢建中; 孟凡勇; 闫光; 娄小平; 祝连庆 刊期：2018年第02期
为了实现太空环境下的卫星折反射星敏器光学系统中特殊结构部位的传感器的安装及温度监测,排除应变对传感器的影响,设计了一种适用于光纤光栅的环形特殊封装结构。并对传感器进行了温度标定、拉伸、温度重复性、振动及热真空实验。实验结果表明：这种封装形式的光纤光栅温度传感器线性度为0.998,温度灵敏度为8.5~8.7pm/℃,同一温度下,中心波长变...
作者：谭敬; 陈行; 徐静; 徐啸; 孙力军 刊期：2018年第02期
重点介绍了声光开关与光脉冲单选器的基本工作原理,设计了一种以声光开关为核心器件的小型化高速脉冲单选器,该脉冲单选器具有消光比高、插入损耗低、性能稳定和结构小等特点,可用于从锁模激光器输出光脉冲串中选取单个光脉冲作为前端系统的种子光源。
作者：余永涛; 王之哲; 郭长荣; 刘焱; 罗宏伟; 王小强; 罗军; 陈勇国 刊期：2018年第02期
在宽的输入偏置电流范围条件下,开展了光电耦合器件低频噪声特性测试与功率老化和高温老化的可靠性试验研究。结果表明,光电耦合器件的低频噪声主要是内部光敏晶体管1/f噪声,并随输入偏置电流的增大呈现先增大后减小的规律,这与器件的工作状态密切相关。功率老化试验后,高输入偏置电流条件下的低频噪声有所增大,这归因于电应力诱发的有源区缺陷...
作者：马彦华; 刘倩; 刘仪琳; 徐琳; 李丽君 刊期：2018年第02期
设计并实现了一种新型光纤光栅压力传感器。该传感器以光纤布拉格光栅（FBG）为敏感元件,通过菱形钢结构,将压力转换为膜片横向应变,通过将光纤光栅粘于工形膜片中心轴线上,可将压力转换为光纤光栅轴向应变,通过解调光栅的中心波长漂移即可得到压力大小。传感器外壳采用圆柱体刚性封装,外高为13mm,直径为33mm。对设计的传感器进行了压力标定测试...
作者：石丹; 高博; 龚敏 刊期：2018年第02期
针对生物信号微弱、变化范围大等特点设计了一种用于检测微弱电流的全差分跨阻放大器（TIA）电路结构。不同于传统电路的单端输入,该结构采用高增益的全差分两级放大器实现小信号输入及轨到轨输出。基于CSMC 0.18μm CMOS工艺,采用1.8V电源电压对设计的电路进行了仿真,仿真结果表明：TIA输入电流动态范围为100nA~10μA,最大跨阻增益达到104.38dBΩ,...
作者：刘敦伟; 袁光立; 安辉耀; 石雪梅; 于涛 刊期：2018年第02期
采用气相沉积温度梯度分布合成纳米线法,在750～950℃耐高温石英管中,在催化剂金的催化作用下,生长出310μm带隙渐变的硫硒化镉半导体纳米线,并利用倏逝波耦合的方法导波激发,分别对不同掺杂比例的部分纳米线进行研究。实验发现,在注入功率低于10-8 W时,随着光强增大不同带隙宽度的纳米线的淬灭度都在增大;然而在注入功率继续增大时,S元素比例占...
作者：荣耕辉; 伊小素 刊期：2018年第02期
设计了一种新型结构的光子晶体光纤,建立了对应的数学模型并采用全矢量有限元法对该结构的模场强度、有效折射率、双折射、色散特性和限制损耗进行了分析。研究表明,该光纤在1 550nm处可以获得高达7.66×10-3的双折射和低至12ps/（nm·km）的色散值,同时在800～1 600nm波长范围内,始终保持1.498×10-6 dB/m以下的极低限制损耗,可用于制造极低色散值...
作者：李雅飞; 李晓良; 马英杰; 陈洁珺; 徐飞; 顾溢 刊期：2018年第02期
采用AZ1500光刻胶作为掩模对GaAs和InP进行ICP刻蚀,研究了刻蚀参数对光刻胶掩模及刻蚀图形侧壁的影响。结果表明,光刻胶的碳化变性与等离子体的轰击相关,压强、ICP功率和RF功率的增加以及Cl2比例的减小都会加速光刻胶的碳化变性,Cl2/Ar比Cl2/BCl3更易使光刻胶发生变性。对于GaAs样品刻蚀,刻蚀气体中Cl2含量越高,刻蚀图形侧壁的横向刻蚀越严重。C...
