杂志简介：《半导体光电》杂志经新闻出版总署批准，自1976年创刊，国内刊号为50-1092/TN，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份双月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：动态综述、光电器件、材料、结构及工艺、光电技术及应用
杂志简介：《半导体光电》杂志经新闻出版总署批准，自1976年创刊，国内刊号为50-1092/TN，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份双月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：动态综述、光电器件、材料、结构及工艺、光电技术及应用
作者：杨帅; 董丹; 何谷峰 刊期：2017年第06期
文章采用具有电子捕捉能力的橙红色磷光材料iridium（Ⅲ）bis（2-methyldibenzo-[f,h]quinoxaline）（acetylacetonate）（Ir（MDQ）_2（acac））作为超薄发光层应用于有机发光二极管中。通过对其厚度的优化,发现当发光层厚度为0.1nm时,器件性能最好,最大电流效率达到了28.1cd/A,明显优于采用掺杂发光层的器件。分析了发光材料的载流子捕捉作用...
作者：罗聪; 姚方; 陈昭; 方国家 刊期：2017年第06期
全无机钙钛矿量子点是非常具有发展潜力的发光材料,其中CsPbX_3（X为Cl、Br和I）因其具有非常窄的发光峰、较好的稳定性以及可以在溶液中制备等优点,受到了研究人员的重点关注。文章在室温下根据过饱和析出原理制备了不同卤族元素配比的全无机钙钛矿量子点,该制备方法不需要惰性气氛保护和热注入,量子点的合成可以在几秒内完成。通过光致发光光...
作者：施朝霞; 吴柯柯; 李如春; 曹全君 刊期：2017年第06期
双结深光电二极管包括一深一浅两个光电二极管,深、浅pn结光电二极管的光电流比值I_2/I_1随入射光波长单调增加。文章基于0.5μm CMOS工艺对双结深光电二极管深、浅结光电流进行了数学建模和Matlab仿真。设计了片上信号处理电路,将双结深光电二极管深、浅结光电流比值转换成电压输出。仿真结果表明,信号处理电路的输出与ln（I_2/I_1）具有良好的...
作者：葛益娴; 赵伟绩; 张鹏 刊期：2017年第06期
提出了一种新型结构的法布里-珀罗（F-P）腔光纤压力传感器。该传感器基于法布里-珀罗多光束干涉,利用压力敏感膜的纵向挠度变化带动位移柱的横向位移运动来改变F-P腔的腔长变化。详细阐述了传感器新结构的设计方法及其工作原理,分析了不同参数对传感器性能的影响。采用ANSYS软件仿真模拟了传感器压力敏感膜在压力作用下的挠度变化。结合现有的M...
作者：郭迎; 韩明珠; 林鑫; 杨雁南 刊期：2017年第06期
为了探索光强均匀性对光电池组件整体光电转换效率的影响,采用波长为808nm、输出光强可调的半导体激光束照射两片单结砷化镓电池,实验测量光电池在串联、并联组合方式下不同光功率密度激光照射时的输出特性,结果表明,当照射到两光电池上的激光功率密度相同时,两种连接方式下组件的光电转换效率基本相同,都在46%左右;当照射到两光电池上的激光功...
作者：王婷婷; 李志鹏; 沈娟 刊期：2017年第06期
设计了一种新型的在线光纤法布里-珀罗（F-P）压力传感器。该传感器的F-P腔为微椭球空气腔,由光纤熔接机以特定的熔接参数熔接单模光纤和实芯光子晶体光纤而成。该传感器基于F-P干涉原理测量压力,全石英结构,制作工艺简单,温度串扰小。分析了封闭的椭球形空气F-P腔中短轴直径（腔长）与长轴半径（敏感膜有效半径）的关系;利用高斯光束传输理论分...
作者：丰亚洁; 何晓颖; 刘巧莉; 王华强; 李冲; 胡宗海; 郭霞 刊期：2017年第06期
对Si基PIN光电探测器的电场隔离结构进行了研究,讨论了电场隔离结构的作用以及其与暗电流的关系,并进行了仿真模拟与测试分析。电场隔离结构主要将有源区和边缘隔离从而降低暗电流,结合仿真模拟结果和实验测试结果,分析得到电场隔离结构主要降低与周长有关的暗电流,对于小尺寸器件作用更明显。
作者：乔晶; 陈德媛; 段亚丽; 梁吴燕; 谷云斌 刊期：2017年第06期
提出了一种考虑温度影响的基于光子晶体的微压力传感器,传感器由微压力传感和温度传感两部分构成,其中微压力传感部分测量的是所处温度环境下的压力值。两部分传感器均利用波导和腔的耦合实现带阻滤波功能,根据带阻滤波器的模式在所处温度下线性红移,分别计算相应的温度值和该温度下的压力值,并通过热光效应和热膨胀效应计算出温度对器件材料折...
作者：宫可玮; 孙长征; 熊兵 刊期：2017年第06期
研究了基于Al2O3中间层的InP/SOI晶片键合技术。该方案利用原子层沉积技术在SOI晶片表面形成Al2O3作为InP/SOI键合中间层,同时采用氧等离子体工艺对晶片表面进行活化处理。原子力显微镜和接触角测试结果表明,氧等离子体处理使得晶片的表面特性更适于实现键合。透射电子显微镜和X射线能谱仪测试结果证实,采用Al2O3中间层可以实现InP晶片与SOI晶片...
作者：陈丁丁; 陈琳; 修向前; 李悦文; 付润定; 华雪梅; 谢自力; 刘斌; 陈鹏; 张荣; 郑有炓 刊期：2017年第06期
在常压条件下采用化学气相淀积（CVD）技术在有石墨烯插入层的衬底上生长GaN纳米线,研究了生长温度、石墨烯插入层、催化剂等因素对GaN纳米线的形貌、光学特性以及结构的影响。通过扫描电子显微镜（SEM）、光致发光（PL）谱、拉曼（Raman）谱和透射电子显微镜（TEM）等表征手段对GaN纳米线的形貌、光学特性以及结构进行表征。结果表明,在1 100℃...
作者：廖乃镘; 刘晓琴; 杨修伟; 寇琳来; 罗春林; 向华兵; 伍明娟; 李仁豪 刊期：2017年第06期
利用无掩模反应离子刻蚀法制备黑硅,研究了黑硅微结构密度和高度对其光学特性的影响。采用场发射扫描电子显微镜和带积分球的紫外-可见-近红外分光光度计分别表征黑硅微结构形貌和光学特性。研究结果表明,黑硅微结构密度增大和高度增加,则黑硅吸收率增大,高度较大的微结构更加有利于增强黑硅近红外光吸收。无掩模反应离子刻蚀法制备的黑硅的吸收...
作者：徐文武; 周亚伟; 张笑维; 朱毕成; 何春清 刊期：2017年第06期
利用电子束蒸镀技术在石英玻璃上沉积SnF2掺杂SnO2（FTO）薄膜。研究了不同退火温度对FTO薄膜结构和光电性能的影响。研究结果表明：升高退火温度可促进FTO薄膜中晶粒逐渐变大,结晶度变好,同时薄膜在可见光范围内的透射率随着退火温度升高逐渐增加,吸收边发生蓝移,禁带宽度显著变宽,这是由于载流子浓度增加导致的Moss-Burstein效应。升高温度时,...
作者：董建; 何晓颖; 胡帅; 何艳; 吕本顺; 李冲; 郭霞 刊期：2017年第06期
垂直腔面发射激光器（VCSEL）以其低功耗、低阈值电流、高调制速率和易制作二维阵列器件等特点,广泛应用于短距离光互连领域。湿法腐蚀和干法刻蚀作为高速VCSEL台面结构制备的两种工艺,影响VCSEL氧化层的大小。文章研究了氧化层面积对寄生电容的影响,并计算得到7μm氧化孔径下采用干法刻蚀工艺的垂直腔面发射激光器,相比较湿法腐蚀工艺,氧化层电...
作者：汪佳; 曹凯; 刘理想; 吴亮 刊期：2017年第06期
使用自主研发的钨系统中频感应加热炉对AlN粉料进行了烧结提纯处理实验,并用XRD、SEM、IGA和GDMS等表征方法分析了烧结后的样品。实验发现,高温（2 250℃）长时间（50h）烧结提纯工艺效果显著,但AlN粉料损耗高达47.37%;而低温（小于2 000℃）分段式短时间（每段10h）烧结提纯工艺粉料损耗低于2%,但是提纯效果一般。通过对实验结果的综合分析,提...
作者：马文利; 杨峰; 陈骏荣; 袁玲; 余艳梅; 赵勇 刊期：2017年第06期
采用溶液生成法制备了有机铅卤化钙钛矿（CH3NH3PbI3）晶体粉末,并以过量的PbI2对其进行掺杂,采用X射线衍射谱（XRD）技术研究了掺杂前后样品的晶体结构变化。表面光电压谱（SPS）和相位谱（PS）显示掺杂前后的CH3NH3PbI3均为p型半导体,但后者有更强的光伏响应。场诱导表面光电压谱（FISPS）表明：当加正电场时,掺杂前后的CH3NH3PbI3均表现为p型...
