杂志简介：《半导体光电》杂志经新闻出版总署批准，自1976年创刊，国内刊号为50-1092/TN，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份双月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：动态综述、光电器件、材料、结构及工艺、光电技术及应用
杂志简介：《半导体光电》杂志经新闻出版总署批准，自1976年创刊，国内刊号为50-1092/TN，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份双月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：动态综述、光电器件、材料、结构及工艺、光电技术及应用
作者：杨刚; 崔峰; 樊冬; 刘武; 张卫平; 吴校生 刊期：2017年第03期
针对流速传感器大多存在测量量程小、柔性小而无法适应较大量程和复杂曲面的测量问题,提出了一种宽量程柔性MEMS流速传感器,结合热损失和热温差的工作原理实现对流速的测量。选取聚酰亚胺（PI）作为柔性衬底材料和铂（Pt）薄膜为热敏材料,采用金属牺牲层MEMS工艺制造了带空腔的柔性流速传感器芯片,尺寸为9mm×7mm×30μm。设计了采用双惠斯通电桥的...
作者：赵明富; 邹文根; 罗彬彬; 邹雪; 石胜辉; 汤斌; 徐杨非 刊期：2017年第03期
为提高现有光纤pH值传感器的检测灵敏度和检测范围,降低弯曲以及温度交叉敏感的影响,提出以pH值敏感型智能水凝胶为敏感膜的细直径极大倾角光纤光栅（Thin Excessively Tilted Fiber Grating,Thin-Ex-TFG）pH值传感器。理论上分析了影响传感器灵敏度的因素,研究了提高传感器灵敏度的方案。然后,制作出不同封装厚度的Thin-Ex-TFG pH值传感器,进行...
作者：巩稼民; 杨萌; 孟令贺; 郭翠 刊期：2017年第03期
基于EDFA的理论模型和受激拉曼散射效应的分析理论,利用EDFA和RFA的增益谱互补特性,对拉曼光纤放大器（RFA）采用两根光纤级联方式,研究并设计了EDFA与级联光纤的RFA相结合的混合放大器结构。仿真结果表明：在不使用增益均衡器的条件下,所设计的混合光纤放大器在输出端得到了近似相等的输出光功率,得到了增益平坦度为0.62dB、波长带宽为70nm（1 ...
作者：李达; 何巍; 闫光; 祝连庆 刊期：2017年第03期
利用800nm飞秒激光在未经载氢处理的HI1060光纤中制作了长周期光纤光栅（LPFG）。采用逐线刻写方式实现了谐振波长为1 548.4nm的LPFG,谐振强度为12dB,栅区长度小于4mm。使用不同折射率的氯化钠溶液、蔗糖溶液和酒精溶液分别对LPFG的折射率特性进行了测试和研究。实验中随着三种溶液折射率增加,LPFG的谐振波长发生红移,该LPFG在氯化钠溶液、蔗糖...
作者：田颖; 王爽; 任科 刊期：2017年第03期
设计了一款基于延迟锁定环（DLL）和同步计数器结构的10位片上时间数字转换电路（TDC）。采用两步层级设计方法,利用同步计数器进行粗量化输出6位二进制码,量化时钟周期的整数倍,再利用高性能差分DLL输出16路固定相移的时钟信号采样,精量化不足一个时钟周期的部分,输出4位温度计码。该结构可以提供较好的精度、动态范围以及转换速度,与传统的子...
作者：黄绍春; 申钧; 周红; 叶嗣荣 刊期：2017年第03期
提出了一种基于石墨烯纳米条带阵列的光电探测器（GNR-PD）结构,讨论了器件的解析模型。基于二维泊松方程,在弱非局域近似条件下建立了GNR-PD的器件模型,推导了其I-V特性和光响应特性。结果表明,GNR-PD具有极高量子效率和光电增益,可以获得高达150A/W以上的光响应度。
作者：皇甫家昕; 刘会刚 刊期：2017年第03期
设计了一种基于硅基等离子体的波导缝隙频率可重构天线。首先对横向PIN二极管进行了介绍,并以横向PIN二极管为基础提出了一种双横向PIN二极管结构,叙述了双横向PIN二极管的工作原理。其次,结合双横向PIN二极管和波导缝隙天线,提出了一种新型的波导缝隙频率可重构天线,并对天线进行建模与仿真,仿真结果表明：该天线实现了103.5、104和104.5GHz的...
作者：陈硕; 刘占元; 牛晓晨; 李学鹏; 陈开鑫 刊期：2017年第03期
对降低铌酸锂（LN）电光调制器的半波电压进行了研究,探索了利用反射结构实现低半波电压的原理。通过退火质子交换工艺在x切LN晶片上制作了反射结构的LN电光调制器。测试表明,这种反射结构的LN电光调制器在保持器件长度不变的条件下可以降低半波电压。
作者：钟四成; 廖乃镘; 罗春林; 阙蔺兰; 寇琳来; 伍明娟 刊期：2017年第03期
CCD多晶硅交叠区域绝缘介质对成品率和器件可靠性具有重要的影响。采用扫描电子显微镜和电学测试系统研究了CCD栅介质工艺对多晶硅层间介质的影响。研究结果表明：栅介质工艺对多晶硅层间介质形貌具有显著的影响。栅介质氮化硅淀积后进行氧化,随着氧化时间延长,靠近栅介质氮化硅区域的多晶硅层间介质层厚度增大。增加氮化硅氧化时间到320min,多...
作者：林星宇; 邢端松; 刘水 刊期：2017年第03期
为了探究掺杂有菲醌的聚甲基丙烯酸甲酯（PQ/PMMA）光致聚合材料的光学特性,根据该全息聚合材料基本理论以及内部的光化学反应机制与效应,通过数学方法构建内部反应模型进行仿真与拟合,分析了曝光强度、空间频率对产物、折射指数的影响以及存在的失真效应。结果表明：在给定参数下,曝光强度的最佳选择范围为60~80mW/cm^2,空间频率的相对优化的选...
作者：杨晓京; 李明 刊期：2017年第03期
为提高平面光学元件的加工质量和效率,理解元件与抛光盘之间的相对运动轨迹变化规律是获得良好表面质量的重要前提。根据＂运动学原理＂和＂坐标变换＂建立了磨粒运动轨迹模型,推导了磨粒轨迹长度公式。利用Matlab软件模拟计算了各参数下的磨粒轨迹长度和磨粒轨迹变化形态。研究表明：不同转速比对材料去除速率和表面质量影响显著;随着磨粒径向...
作者：李睿智; 袁安波; 曾武贤 刊期：2017年第03期
研究了离子注入后推结与扩散两种掺杂方式制作保护环对拉通型硅基雪崩光电二极管（Si-APD）器件成品率的影响,对比在不同工艺条件下器件反向击穿电压、暗电流的变化情况。研究结果表明,采用离子注入后推结的方式,在注入后3h@1 100℃条件下的成品率为94%;采用扩散掺杂方式,器件成品率不超过65%。两种方式对器件反向击穿电压影响较小且暗电流抑制...
作者：袁安波; 李睿智; 向鹏飞; 郭培; 龙飞 刊期：2017年第03期
分析了引起大面阵内线转移CCD直流短路的原因,确认了二次金属铝刻蚀残留是引起器件失效的主要原因。利用扫描电子显微镜技术,研究了刻蚀工艺参数对内线转移CCD二次金属铝刻蚀残留的影响。优化了预刻蚀、主刻蚀和过刻蚀三个阶段的工艺条件,消除了金属铝刻蚀残留。采用优化的工艺参数进行二次金属铝刻蚀,器件直流成品率提高了30%。
作者：李德龙; 龚时华; 王子悦 刊期：2017年第03期
LED芯片的定位精度直接决定了LED制造装备的生产质量和效率,为了提高LED芯片的定位精度,提出了一种基于亚像素边缘检测的芯片定位算法。该算法首先采用Gamma变换方法增强图像的对比度,并利用Blob算法获取芯片有效区域;接着采用Canny算法进行芯片亚像素边缘轮廓的提取;最后,通过拟合芯片边缘轮廓,获取芯片位置中心,完成芯片位置的精确识别。该算...
作者：彭泽令; 周德俭 刊期：2017年第03期
低温共烧陶瓷（LTCC）基板制作工艺复杂,产品质量对工艺参数十分敏感,微小的成型缺陷就会影响其功能特性。文章将BP神经网络和多目标遗传算法——NSGA-Ⅱ（Nondominated Sorting Genetic AlgorithmⅡ）相结合用于LTCC基板在层压和烧结工艺过程中的工艺参数优化。根据LTCC基板成型过程中出现的微通道变形、互联金属柱错位、基板翘曲三种主要成型...
