首页 期刊 半导体光电 黏附层以及退火气氛对Au/Si共晶体系中硅扩散的影响研究 【正文】

黏附层以及退火气氛对Au/Si共晶体系中硅扩散的影响研究

作者:佟路 戴姜平 谢自力 修向前 赵红 陈鹏 张荣 施毅 韩平 郑有炓 南京大学电子科学与工程学院.江苏省光电功能材料重点实验室 南京210093
共晶   硅扩散   扩散阻挡层   退火气氛  

摘要:采用真空蒸镀方法在Si衬底上制备了Si/Au、Si/Ni/Au和Si/Ti/Au结构多层膜,进行多种条件下的退火实验,研究了不同黏附层对Au/Si共晶体系中硅扩散的影响。实验结果表明,黏附层对硅的扩散起到阻挡作用,Ti层与Ni层作为阻挡层在较低温度下发生失效,退火气氛对阻挡层的失效具有显著影响。这表明Au/Si体系中扩散阻挡层失效的机制并不是直接的固相反应。文章提出势垒模型来解释扩散阻挡层的失效机制。

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