半导体光电

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Semiconductor Optoelectronics

杂志简介:《半导体光电》杂志经新闻出版总署批准,自1976年创刊,国内刊号为50-1092/TN,是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份双月刊,致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目:动态综述、光电器件、材料、结构及工艺、光电技术及应用

主管单位:中国电子科技集团有限公司
主办单位:重庆光电技术研究所
国际刊号:1001-5868
国内刊号:50-1092/TN
全年订价:¥ 220.00
创刊时间:1976
所属类别:电子类
发行周期:双月刊
发行地区:重庆
出版语言:中文
预计审稿时间:1-3个月
综合影响因子:0.87
复合影响因子:0.36
总发文量:2500
总被引量:7410
H指数:25
引用半衰期:3.7727
立即指数:0.0093
期刊他引率:0.8906
平均引文率:8.4444
  • 安防用CMOS图像传感器片上图像信号处理电路综述

    作者:祝晓笑 任思伟 刊期:2015年第05期

    图像信号处理技术的研究和应用在安防领域具有特殊的重要意义。介绍了一系列用于安防系统CMOS图像传感器片上图像信号处理电路的原理和算法。具体包括黑电平校正、镜头阴影校正、插值降噪、色彩校正、伽玛校正、自动白平衡、自动曝光、自动聚焦、YUV空间转换(RGB2YUV),以及背光补偿等模块处理电路等。

  • 基于有限元法的微测辐射热计热电性能研究

    作者:陈超 蒋亚东 马加锋 刊期:2015年第05期

    采用有限元法针对微测辐射热计的热电耦合敏感机理进行研究。建立微测辐射热计精确三维有限元模型,采用动态热电有限元方法对器件的热电特性进行了分析,得到了其热电耦合场下的温度响应特性,并获取其热容、有效热时间常数和有效热导值等热学参数;采用该方法在微测辐射热计的设计阶段中,即可初步预判器件性能并为器件制备提供可靠的参考。所设计...

  • 采用SCAPS-1D对CZTS薄膜电池的优化

    作者:郭明 李荣 罗婧雯 张道礼 刊期:2015年第05期

    采用SCAPS-1D软件建立了CZTS(Cu2ZnSnS4)薄膜电池模型,并对其输出特性进行了数值模拟,分别研究了CZTS吸收层厚度、载流子浓度和禁带宽度对CZTS薄膜电池的影响。结果表明较薄的CZTS吸收层即可满足对光谱吸收需要。载流子浓度NA的增加可以提高开路电压,但会造成短路电流减小,所以载流子浓度也是太阳电池设计中需要平衡的问题之一。最后采用成分...

  • 应用于硅基等离子天线的LPIN二极管的自加热效应

    作者:刘会刚 梁达 张时雨 廖沁悦 任立儒 耿卫东 刊期:2015年第05期

    介绍了LPIN二极管及其在硅基等离子天线方面的应用,从理论上分析了LPIN二极管自加热效应及其对本征区载流子浓度的影响。仿真分析了不同SOI埋层材料对LPIN二极管本征区载流子浓度的影响。仿真结果显示,LPIN二极管的自加热效应会降低其本征区载流子浓度,通过改变埋层的材料,增加埋层的热导率,可以减弱自加热效应,从而增加本征区载流子浓度,提高硅...

  • 不同偏置条件下光电耦合器的总剂量效应

    作者:黄绍艳 刘敏波 盛江坤 姚志斌 王祖军 何宝平 肖志刚 唐本奇 刊期:2015年第05期

    开展了4N49光电耦合器不同辐照偏置条件下的辐照实验,结果表明:电流传输比的下降幅度与辐照期间的偏置条件有关,处于工作状态的光电耦合器比短路状态的总剂量效应要弱,其根源是光电耦合器的LED施加了电流,而与光敏晶体管的偏置状态关系不大;电流传输比随偏置条件的变化关系是由初级光电流决定的,而C-B区光响应度是初级光电流退化的主导因素。

  • 光谱拟合反演法制备高显色指数白光LED的研究

    作者:李成驰 范广涵 郭光华 陈志涛 刘宁炀 古志良 刊期:2015年第05期

    荧光粉受激发产生的白光LED照明光源存在显色指数较低的问题。对此提出一种利用光谱拟合反演高显指目标光谱的方法,针对已知白光LED计算提高该光源所需补充的单色光LED种类及光谱系数。利用光谱拟合方法分析添加不同波段的光谱对白光LED显指和色温的影响。并通过拟合反演的方法进行补光设计,使用一到两种单色光LED,将冷白光源和中性白光源的显指...

  • 黏附层以及退火气氛对Au/Si共晶体系中硅扩散的影响研究

    作者:佟路 戴姜平 谢自力 修向前 赵红 陈鹏 张荣 施毅 韩平 郑有炓 刊期:2015年第05期

    采用真空蒸镀方法在Si衬底上制备了Si/Au、Si/Ni/Au和Si/Ti/Au结构多层膜,进行多种条件下的退火实验,研究了不同黏附层对Au/Si共晶体系中硅扩散的影响。实验结果表明,黏附层对硅的扩散起到阻挡作用,Ti层与Ni层作为阻挡层在较低温度下发生失效,退火气氛对阻挡层的失效具有显著影响。这表明Au/Si体系中扩散阻挡层失效的机制并不是直接的固相反应。...

  • 电极可重复使用的PCR芯片及其温度场分析

    作者:曹井通 崔峰 陈伟 郭兆鑫 陈文元 刊期:2015年第05期

    基于MEMS加工技术,提出了一种加热、传感电极和反应腔室可分离的PCR芯片结构,加热、传感电极采用Pt薄膜材料并可重复使用,反应腔室采用PDMS材料,芯片的制造成本大为降低。利用COMSOL软件对设计的PCR芯片进行了温度场仿真分析,并用红外热像测温仪(NEC R300)对微制造的芯片温度场分布进行了测量。测量结果表明芯片结构能得到较好的温度均匀性,为...

  • CCD彩色滤光片的制备与集成技术研究

    作者:黄建 向鹏飞 陈红兵 李仁豪 刊期:2015年第05期

    介绍了彩色CCD的器件结构和成像原理,采用彩色光刻胶光刻法实现了彩色滤光片的制备,并通过分析彩色滤光片缓冲层、滤光片厚度和固化工艺等对滤光片性能的影响,获得了彩色滤光片的片上集成技术,并将其集成在512×512帧转移CCD器件上,完成了性能评价与成像验证。测试结果表明:制备的彩色滤光片主线透过率大于80%,光谱串扰小于15%,色纯度大于75%,集...

  • InAsSb材料的LP-MOCVD生长

    作者:徐庆安 邵逸恺 汪韬 尹飞 闫欣 辛丽伟 王警卫 刊期:2015年第05期

    采用低压金属有机物化学气相沉积(LP-MOCVD)设备,在(100)面GaSb单晶衬底上生长了高质量的InAsSb材料。分析了InAs/GaSb超晶格红外材料在不同生长条件下的生长质量,对器件材料结构进行了表征,并进行了理论分析和优化生长。采用X射线双晶衍射原子力显微镜对其外延薄膜的单晶质量进行分析,得到外延层与衬底材料的晶格失配仅为-0.43%。通过调节...

  • 新型层状结构SnO的合成、光学性质及其表面缺陷

    作者:崔永奎 王凤平 祖柏儿 李岩 王子娅 李泉水 刊期:2015年第05期

    采用无模板水热法在温和的反应条件下成功合成了形貌结构均一的层状结构氧化亚锡(SnO)。利用X射线衍射(XRD)、场发射扫描电子显微镜(FESEM)和能量散射X射线探测器(EDX)对所合成样品的晶体结构、形貌结构和化学成分分别进行了表征。利用荧光光谱仪和显微拉曼光谱仪研究了所合成样品的光致发光(PL)光谱和拉曼散射谱。光致发光第一次观察...

  • 倒置摆的有效势与晶体摆动场辐射的稳定性

    作者:李广明 刊期:2015年第05期

    在经典力学框架内,把粒子的运动方程化为倒置摆方程。在线性近似下,分别用参数变易法和LP方法讨论了无阻尼情况下系统的一阶不稳定区。在非线性近似下,用有效势分析了系统的稳定性,并对普通摆和倒置摆进行了统一描述。结果表明,系统的稳定性与阻尼有关,阻尼越大稳定性越好;指出了普通摆描述的沟道粒子的运动行为,系统的平衡位置过支点垂直向下;...

  • COB白光LED的光提取效率研究

    作者:古志良 李炳乾 范广涵 许毅钦 张康 赵维 李成驰 刊期:2015年第05期

    针对LED高光效、高显色指数的要求,在分析LED光学性能的基础上,采用板上芯片(COB,Chip on Board)技术研究了表面涂覆硅胶量对COB白光LED的光通量、光效、色温和显色指数的影响,并提出一种高光效、高显色指数、低色温的白光LED封装方案,提高了COB白光LED的出光效率,实现了特定的光学分布,最终实现14W COB封装结构下的白光LED,在电流密度为30A/c...

  • 非水溶胶-凝胶法制备纳米二氧化钛及其抑菌性能研究

    作者:杨志广 赵朗 李晓东 王晓璐 景志红 刊期:2015年第05期

    以四氯化钛为钛源,叔丁醇为溶剂,采用非水溶胶-凝胶法制备了TiO2纳米颗粒,利用红外光谱(FT-IR)、X-射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)和透射电镜(TEM)等技术手段对其进行了结构表征。基于定量菌落计数法考查了TiO2纳米颗粒对大肠杆菌和枯草杆菌的抑菌特性。结果表明,通过该方法合成的TiO2纳米颗粒粒径小,对这两种细菌的抑菌率都在93%以上,具...

  • 二次大气退火对于非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管电学特性的影响

    作者:胡安琪 喻志农 张潇龙 张世玉 刊期:2015年第05期

    介绍了非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管(a-IGZO TFT)的制备,并在不同环境下进行了退火。其中,经过一次退火冷却后再进行第二次退火的器件表现出了最佳的电学性能,相比其他器件有较小的亚阈值摆幅(~1.43V/decade)和更好的磁滞稳定性。通过对比其他退火条件下的器件表现与工艺,发现在一次退火基础上增加的较短时间(30min)退火是这些显著提高的主...