杂志简介：《半导体光电》杂志经新闻出版总署批准，自1976年创刊，国内刊号为50-1092/TN，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份双月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：动态综述、光电器件、材料、结构及工艺、光电技术及应用
杂志简介：《半导体光电》杂志经新闻出版总署批准，自1976年创刊，国内刊号为50-1092/TN，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份双月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：动态综述、光电器件、材料、结构及工艺、光电技术及应用
作者：毛小洁 秘国江 庞庆生 邹跃 刊期：2015年第02期
单晶光纤激光器在激光医疗、激光成像、光电对抗以及人眼安全测照等领域具有重大的应用价值,近年来成为新型固体激光源研究的热点。文章介绍了单晶光纤的制备方法,分析了单晶光纤激光器的工作原理,着重阐述了连续单晶光纤激光器、调Q单晶光纤激光器及种子注入单晶光纤激光放大器的技术方案和最新研究进展,讨论了单晶光纤激光器的优点和劣势,并对...
作者：张晓光 吴远大 王玥 安俊明 张家顺 谢亮 胡雄伟 刊期：2015年第02期
设计并分析了一种基于游标效应的光学传感器。采用截面尺寸为220nm×500nm的SOI矩形波导来进行分析。传感器的灵敏度为4.5×104 nm/RIU,探测极限低于10-4 RIU。该传感器最重要的优点是,即使器件有很高的传输损耗和低的Q因子,仍有很高的灵敏度和低的探测极限。分析了热光效应对基于游标效应传感器的影响。分析结果也同样适用于其他基于游标效应的传...
作者：袁配 王玥 吴远大 安俊明 胡雄伟 刊期：2015年第02期
基于硅的等离子体色散效应,构建了大尺寸SOI基光波导电光可调光衰减器（VOA）仿真模型,系统模拟分析了结构参数对VOA衰减及偏振相关特性的影响,优化设计出了低功耗、低偏振相关损耗的VOA器件,仿真结果表明,该VOA在20dB衰减下的功耗仅为24mW,偏振相关损耗为0.41dB。
作者：邓光平 刘业琦 王颖 刘昌举 祝晓笑 熊平 刊期：2015年第02期
基于视网膜特有的细胞排布方式,并利用CMOS图像传感器工艺,设计并制造了一种仿视网膜的光电探测器。为降低像素尺寸因素引起的图像非均匀性,光电探测器采用7T对数像素结构。测试结果显示该光电探测器具有良好的成像效果。
作者：明希 殷华湘 孟令款 李俊杰 贾云丛 李贞杰 袁烽 江晓山 刘鹏 陈大鹏 刊期：2015年第02期
设计了一种新的3D硅像素探测器的器件结构以简化制造工艺。该结构仅包含一种掺杂类型的柱状电极。通过工业级TCAD仿真对这种结构的电学特性进行了深入研究,阐述了它的技术优势及潜在缺陷。同时研究了制造这种3D硅像素探测器的特殊工艺流程和相关关键工艺,并给出了主要工艺结果。
作者：彭晨 但伟 王波 刊期：2015年第02期
利用OrCad软件的Model Editor模块建立了PIN光电探测器的Pspice仿真模型,对比分析了PIN光电探测器的实验数据与仿真数据,对PIN光电探测器仿真模型进行修正。最终建立了可用于电路仿真的PIN光电探测器的Pspice模型,该模型有助于设计人员在工程设计之初,利用仿真软件对光电接收电路进行仿真优化。
作者：安宁 刘国军 刘超 李占国 刘鹏程 魏志鹏 方玄 马晓辉 刊期：2015年第02期
为了降低2μm半导体激光器的阈值电流并提高器件的输出功率,设计了InGaAsSb/AlGaAsSb应变补偿量子阱结构,并利用SimLastip软件对器件进行了数值模拟。研究表明,在势垒中适当引入张应变可以改善量子阱的能带结构,提高对载流子的限制能力。当条宽为120μm、腔长为1 000μm时,采用应变补偿量子阱结构的激光器的阈值电流为91mA,斜率效率为0.48W/A。与压...
作者：李抒智 庄美琳 严伟 张丽超 刊期：2015年第02期
利用静电仪和HBM模型研究了GaN基LED外延片上芯片的抗静电性能,并根据pn结势垒电容的特性,对实验结果进行了分析。实验结果表明,缺陷击穿与外延片的工艺有着密切的关系;随着外延片上芯片尺寸的增大,其抗静电能力也随之增强。
作者：亓凤杰 李华 王敏 黄成功 邹前进 王彦斌 刊期：2015年第02期
在激光干扰的仿真试验中,要进行干扰效果评估,最直观的方法就是仿真出干扰图像。干扰图像的仿真是进行激光干扰内场仿真试验亟待解决的问题。文章研究了采用CTIA输入级电路以及CDS相关双采样预处理电路的HgCdTe探测器的干扰图像仿真。首先研究了激光干扰线阵探测器的干扰图像仿真,然后通过进一步分析串扰现象产生的原理,研究了激光功率密度分布...
作者：钱慧荣 周仕忠 刘作莲 杨为家 王海燕 林志霆 林云昊 王文樑 李国强 刊期：2015年第02期
在Si（111）衬底上采用金属有机化合物化学气相沉积（MOCVD）技术外延生长GaN薄膜,对外延生长所得GaN薄膜的晶体结构和表面形貌进行表征,并研究SiNx插入层对GaN薄膜的晶体质量和表面形貌的影响。结果表明,在Si衬底上生长GaN薄膜过程中引入SiNx插入层可使GaN薄膜的（10-12）面的X-射线回摆曲线的半峰宽（FWHM）值从974.01减小到602.01arcsec;表面...
作者：董翔 吴志明 许向东 于贺 顾德恩 蒋亚东 刊期：2015年第02期
采用脉冲直流反应磁控溅射技术在不同的占空比条件下制备了氧化钒薄膜。利用X射线光电子能谱仪测定了薄膜的组分,用光谱椭偏仪在300~850nm的波长范围内对薄膜的光学性质进行了研究。实验结果表明降低占空比具有促进金属钒氧化的作用,而通过采用TaucLorentz谐振子色散模型结合有效介质近似模型对椭偏参数Ψ和Δ进行拟合,得到了较为理想的拟合结果。...
作者：董绪丰 杜林 刊期：2015年第02期
介绍了倒装焊工艺的原理和流程,分析了FC150倒装焊设备用于生产时存在的弊端,讨论了一种以Visual Basic（VB）语言模拟鼠标键盘输入、判断窗口状态,从而实现自动控制设备的方法,实现了一键倒装焊工艺,使倒装焊工艺流程中人工操作所占时间比重从30%下降到13%,同时也解决了使用设备的语言障碍问题。
作者：赖春红 范拓 刊期：2015年第02期
研究了纳米金粒子修饰碳纳米管阵列结构的表面增强拉曼散射性能。通过FDTD理论模拟仿真了不同粒径纳米金颗粒的场强分布;并采用化学还原的方法制备出直径分别为20、40和60nm三种不同粒径的金颗粒,然后将纳米金粒子修饰到有序定向的碳纳米管阵列表面,并将该结构作为表面增强拉曼基底。FDTD软件仿真结果表明,60nm粒径的纳米金颗粒周围场强分布最强...
作者：程自亮 蒋向东 王继岷 刘韦颖 连雪艳 刊期：2015年第02期
采用RF-PECVD法制备了磷掺杂氢化非晶硅（a-Si∶H）薄膜作为太阳电池窗口层。通过椭偏仪、Keithley 4200对所制备样品进行分析测试,研究了不同掺杂比例对非晶硅薄膜沉积速率、消光系数、折射率、光学带隙及电导率等的影响。实验表明：薄膜沉积速率随掺杂浓度升高先减小再增大;薄膜消光系数、折射率及禁带宽度随掺杂浓度升高呈现先减小后增大再减...
作者：魏勇 肖长江 刑经纬 刊期：2015年第02期
为优化双折射晶体微粒的旋转频率,基于光致旋转技术对晶体微粒在偏振光自旋角动量作用下的转动进行了理论分析,通过给定参数模拟了石英（SiO2）晶体微粒旋转频率与其厚度和激光有效功率的变化关系曲线。依此优化了光致旋转的实验装置,并在此装置上对不同厚度的石英晶体微粒的旋转频率进行了测量。结果表明,微粒的旋转频率与微粒厚度呈现周期性曲...
