杂志简介：《半导体光电》杂志经新闻出版总署批准，自1976年创刊，国内刊号为50-1092/TN，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份双月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：动态综述、光电器件、材料、结构及工艺、光电技术及应用
杂志简介：《半导体光电》杂志经新闻出版总署批准，自1976年创刊，国内刊号为50-1092/TN，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份双月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：动态综述、光电器件、材料、结构及工艺、光电技术及应用
作者：聂诚磊 杨晓红 韩勤 刊期：2013年第04期
量子点单光子探测器具有可保持测试信号完整性、理论量子效率高、工作电压低等优点,同时具有室温单光子探测的潜力,最近得到了广泛的研究。文章介绍了基于三种不同形式量子点的单光子探测器,讨论了它们的工作原理,对比了各自的性能和参数,总结了各种器件的特点,说明了自组织量子点单光子探测的优越性能。
作者：张俪耀 吴远大 安俊明 王玥 潘盼 张晓光 王红杰 胡雄伟 刊期：2013年第04期
提出了一种新型结构的阵列波导光栅。在AWG的阵列波导中嵌入多种补偿介质,补偿二阶或二阶以上温度偏移。首先从理论上推导出器件的工作原理表达式;其次给出了器件结构的设计方案,阵列波导采用同心圆结构设计,使得嵌入介质与波导垂直,有效减小了散射损耗,并显著提高了芯片的集成度。最后,对器件性能进行了评估,引入的附加损耗小于1dB;理论上实现...
作者：龙飞 张故万 吴可 廖乃鏝 李仁豪 刊期：2013年第04期
针对大面阵CCD成像黑缺陷多的特点,从机理和制作工艺上进行了分析研究。结果表明,CCD成像黑缺陷主要由光刻工艺缺陷引起。光刻LOCOS、地和沟阻工艺中产生的浮胶是CCD成像黑缺陷的主要来源。在制作多晶硅栅过程中,光刻浮胶可产生成像黑缺陷或导致信号电荷转移问题。最后,提出了减少光刻工艺产生浮胶的方法。
作者：刘飞 刘福浩 袁永刚 李向阳 刊期：2013年第04期
振动环境中,GaN基p-i-n器件的噪声会急剧增加,这限制了器件的探测能力。利用力锤和振动台分别模拟冲击振动和随机振动环境,研究了器件噪声在不同振动条件下的变化规律。实验结果表明,在冲击振动中,器件噪声呈现出周期特性,但噪声幅度随着时间减小。器件噪声主要的频率成分为429Hz,此频率下的器件噪声与激励力的大小、振动加速度的幅度成线性关系...
作者：邓光平 刘昌举 祝晓笑 熊平 吴治军 刊期：2013年第04期
设计了64×64 AlGaN雪崩光电二极管（APD）阵列的读出电路,该读出电路采用了具有稳定探测器偏压能力的电容跨阻抗放大器（CTIA）结构。利用APD的等效电路模型,推导了电荷-电压转换因子（CVF）与积分电容、放大器增益的关系。为增加最大探测光电流、降低响应的非均匀性,利用上述关系得到积分电容为70fF,放大器增益为300。读出电路的地址选择采用移...
作者：陈波 王勇 罗宏伟 刊期：2013年第04期
根据非接触式智能卡的结构,对智能卡中各个模块的可靠性进行分析,建立了非接触式智能卡的可靠性预计模型,对整个智能卡的最终稳定状态进行预估计算,在此基础上,开发了非接触式智能卡的可靠性预计软件,并简单介绍了软件的性能。
作者：张寅 赵宝洲 卓宁泽 施丰华 王海波 刊期：2013年第04期
采用FloEFD流体分析软件分析了改变LED散热器翅片数和基板厚度对LED球泡灯热量的影响。首先对LED芯片进行仿真,然后用蓝宝石替换LED芯片其他部分简化后仿真,将两者进行了对比。接着对远程荧光LED集成封装光源进行了热模拟,发现将大功率芯片集成在铝基板上,工作时产生的热量非常大,模拟时芯片的结温在159.9℃,超过了LED正常工作结温,所以仅仅依靠...
作者：付三丽 杨维明 郭伟玲 陈建新 黄恒一 刊期：2013年第04期
对GaN基白光二极管（LED）分别施加-1 600、-1 200、-800、-400、400、800、1 200和1 600V静电打击,每次静电打击后,测量LED电学参数和光学参数的变化。从理论上分析了静电对LED可靠性的影响。实验表明：LED样品的I-V特性曲线及光学参数,受反向静电打击的影响比较大,而受正向静电打击的影响不明显。LED样品在被反向静电打击后,芯片内部产生二次...
作者：刘泉 卢新然 刊期：2013年第04期
为有效减小多圈编码器体积、重量并满足高位数多圈记忆的要求,设计了轻量化绝对式多圈光电编码器。多圈编码器采用绝对式矩阵码盘设计,将编码器的绝对码设计在齿轮上,减小了以往绝对式多圈编码器的多级码盘结构和齿轮结构;采用多级齿轮串行结构,缩小了多圈编码器齿轮的高度,便于安装、结构简单。设计的14位超高位数绝对式多圈光电编码器,外形尺...
作者：张运虎 吴有智 马继晶 倪蔚德 张材荣 张定军 刊期：2013年第04期
以联苯乙烯衍生物（4,4′-bis（2,2′-diphenylvinyl）-1,1′-biphenyl,DPVBi）和红荧烯（5,6,11,12-tetraphenylnaphthacene,Rubrene）分别为蓝色、橙色发射体,通过超薄插入的方法在DPVBi中插入一层Rubrene制备了结构简单的非掺杂型蓝色、橙色混合有机电致发光器件（OLED）。结果表明,器件电压对色度的影响规律随插入位置不同而变。当器件发光...
作者：王晓强 林海青 许青 韩恒利 刊期：2013年第04期
通过对CCD片上放大器不同源漏掺杂条件、方块电阻、接触电阻、有效沟道长度的分析研究,确定了源漏工艺条件为磷离子注入能量100keV、剂量5×1015 cm-2。分析了扩散、离子注入源漏掺杂对放大器直流输出的影响,结果表明,当宽长比为4/1时,注入源漏掺杂制作的放大器直流输出与仿真值差异为0.28V,优于扩散工艺。
作者：陈京湘 崔碧峰 丁颖 计伟 王晓玲 张松 凌小涵 李佳莼 马钰慧 苏道军 刊期：2013年第04期
研究了离子辅助沉积（IBAD）电子束蒸发和传统电子束蒸发两种镀膜方式在Si（100）面基底所镀SiO2光学薄膜的特性。特别是在离子辅助沉积下,分析了不同工艺条件改变对SiO2光学薄膜的光学特性的影响。结果表明,无论表面形貌、折射率均匀性,还是湿度稳定性,离子辅助电子束蒸发都优于传统电子束蒸发的SiO2光学薄膜,在离子辅助沉积条件下,薄膜折射率...
作者：牛银菊 朱策 邵明珠 罗诗裕 刊期：2013年第04期
周期介质的特殊性质引起了人们的广泛兴趣,为人们寻找新材料和新光源开辟了全新领域。周期介质的交变应力场决定了超晶格的光电性能。在经典力学框架内,利用广义三角函数的Bessel展开和多尺度法导出了系统的一级近似解;并对强场和弱场情况进行了分析。结果表明,当位错能量大于周期势垒,或位错振幅大于超晶格层厚时,位错可在滑移面内运动实现能量...
作者：王成明 崔国民 周国燕 王金阳 彭富裕 刊期：2013年第04期
在板式翅片散热器的基础上,通过增加不同数量和半径的半圆柱肋片,构造了6种不同结构的半圆柱板翅片散热器（HPPFHS）,并通过数值模拟的方法对这两种散热器的流动和传热特性进行了研究。结果表明,随着入口风速的增加,两种散热器的热阻减小的同时压降随之增大,但其热阻减小的趋势变小。入口风速相同时,相比板式翅片散热器,流经半圆柱板翅片散热器...
作者：师帅 吕植成 汪学方 王飞 袁娇娇 方靖 刊期：2013年第04期
介绍了一种带有凹槽和硅通孔（through silicon via,TSV）的硅基制备以及晶圆级白光LED的封装方法。针对硅基大功率LED的封装结构建立了热传导模型,并通过有限元软件模拟分析了这种封装形式的散热效果。模拟结果显示,硅基封装满足LED芯片p-n结的温度要求。实验结合半导体制造工艺,在硅基板上完成了凹槽和通孔的制造,实现了LED芯片的有效封装。热...
