杂志简介：《半导体光电》杂志经新闻出版总署批准，自1976年创刊，国内刊号为50-1092/TN，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份双月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：动态综述、光电器件、材料、结构及工艺、光电技术及应用
杂志简介：《半导体光电》杂志经新闻出版总署批准，自1976年创刊，国内刊号为50-1092/TN，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份双月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：动态综述、光电器件、材料、结构及工艺、光电技术及应用
作者：谢生 郭维廉 毛陆虹 张世林 刊期：2012年第06期
光子集成作为未来全光网络发展的必然趋势,是实现高速光通信的重要解决方案。正如硅基集成电路的发展历程一样,找到一种类似晶体管的基本集成单元,并实现光子集成的大多数功能是目前光子集成技术中最迫切的问题。近年来,由于半导体环形谐振器的功能多样性和可集成性,使其最有可能成为光子集成的基本单元,因而成为集成光子学、光通信和光信息处理...
作者：白龙 杨华勇 罗洪 马明祥 刊期：2012年第06期
随着光纤布拉格光栅（FBG）传感技术的飞速发展,基于FBG技术的加速度传感器成为了一个新的研究和发展的方向。理论分析了FBG加速度传感器的基本原理,重点介绍了基于FBG理论开发的加速度传感器探头结构的研究进展,分析了探头结构的传感机理及性能指标,指出了实际应用存在的关键技术问题,并对未来的发展进行了展望,为设计新型探头结构及探头的实用...
作者：刘文楷 李保群 董小伟 武梦龙 刊期：2012年第06期
设计了一种具有高隔离度的八通道光子晶体滤波器,并应用时域有限差分法分析计算了在晶格常数相同的条件下,点缺陷微腔局域频率与光子晶体介质柱半径之间的变化规律。在此基础上,对该八通道滤波器的传输特性进行了仿真。结果表明,晶格常数取540nm时,该滤波器各信道的中心频率在1 510～1 580nm,信道间隔小于9.5nm,信道间隔离度均大于35dB。
作者：王巍 白晨旭 冯其 武逶 张爱华 冯世娟 刊期：2012年第06期
PIN四象限探测器在应用过程中对其输出一致性的要求很高。文章讨论了影响PIN四象限探测器输出一致性的各种因素,并有针对性地提出了相应的改进措施。通过仿真分析,对PIN器件的各项参数进行了优化设计,并制作出了可工作在1 060nm波长、50V偏压下的PIN四象限探测器,其每个象限响应度达到0.3A/W,暗电流小于50nA,四个象限输出不一致性小于10%。然后...
作者：舒平 华勇 张鸿举 胡红坤 刊期：2012年第06期
设计和制作了一种高速铌酸锂电光调制器。波导采用双Y定向耦合器型结构以提高线性度,同时能够提高工艺容差;电极采用CPW行波电极结构。通过分析比较不同相速匹配程度及微波损耗程度对电极系统带宽的影响,选择合适的设计参数及工艺参数,制作的调制器样品插入损耗为3dB,开关消光比为34dB,偏置电极半波电压为7V,行波电极半波电压为5.5V,电反射小于-...
作者：徐翠莲 王斌科 王雯洁 刊期：2012年第06期
对LD泵浦Er3＋：Yb3＋共掺全固态激光器进行了整体设计,利用矩阵光学方法推导了高斯光束经耦合系统聚焦后束腰宽度和像距的计算公式。考虑激光棒的热透镜效应,对有源平平腔、平凹腔进行了数值计算,分析了谐振腔的稳定性。最后,根据激光谐振条件,确定了激光输出镜及滤光片的镀膜方案,为最终获得高效率、稳定的激光输出提供了理论依据。
作者：郭丽丽 孙长征 熊兵 罗毅 刊期：2012年第06期
对PIN型和NIN型两种InP基Mach-Zehnder电光调制器的电极结构进行了数值仿真研究,从而确定出适于这两种电光调制器的行波电极结构。仿真结果表明,NIN型电光调制器可采用简单的单臂类微带电极,而PIN型电光调制器需采用周期容性负载电极,以达到良好的阻抗匹配特性和传输特性。进一步地,提出了将串联推挽式行波电极结构应用于PIN型电光调制器,可以简...
作者：甘维兵 张翠 戴玉堂 刘芳 刊期：2012年第06期
针对全光纤结构健康监测系统中对位移监测的需求,设计了一种基于等强度悬臂梁结构的光纤光栅（FBG）位移传感器,它具有结构简单、测量精度高、温度自补偿等优点。通过对传感器进行标定试验,结果显示其线性相关系数可以达到0.999以上,传感器的测量精度为0.326%FS。该传感器在桥梁支座监测中的成功应用表明其可靠性高、对结构自身影响小,可直接测...
作者：袁吉仁 邓新华 洪文钦 余启名 刊期：2012年第06期
杂质光伏太阳电池是一种能够利用那些能量小于禁带宽度的太阳光子以提高电池转换效率的新型太阳电池。利用数值方法研究在硅电池中掺入碳杂质以形成杂质光伏太阳电池,分析掺碳对电池性能的影响。结果表明：利用杂质光伏效应掺入碳杂质能够增加子带光子的吸收,使得电池转换效率提高约2%;转换效率的提高在于电池的红外光谱响应的延展。由此可以得...
作者：商科峰 闫连山 郭迎辉 刊期：2012年第06期
提出一种中心波长随槽型腔腔长线性变化、透射率随耦合距离可调的级联腔表面等离子体滤波器。该滤波器由输入波导、两个级联的介质槽型腔和输出波导组成。通过级联两个相同的槽型腔,共振模被分离从而实现窄带的双通道滤波器;进一步调节输出波导的位置,能够将双通道分离,实现单通道的滤波。通过时域有限差分法和耦合模理论对模型进行仿真分析,结...
作者：周勇 赵志强 周勋 刘万清 莫才平 刊期：2012年第06期
基于延展波长（截止波长2.2μm）InGaAs-PIN光电探测器进行了失配异质结构InxGa1-xAs（x=0.72）/InP的MOCVD外延生长研究。采用宽带隙组分梯度渐变的InAlAs作为缓冲层和顶层,通过生长优化,获得了满足器件要求的外延材料。
作者：王陆一 蒋向东 李建国 石兵 刊期：2012年第06期
采用射频磁控溅射的方法制备了用于液晶光阀光导层的氢化非晶硅薄膜,研究了工艺参数对氢化非晶硅薄膜透过率及光电导性能的影响。结果表明,薄膜的沉积速率随着溅射功率和衬底温度的升高呈先增加后减小的趋势,在衬底温度为300℃,溅射功率为300W左右沉积速率达到最大,在溅射2h后沉积速率随着溅射时间的增加而下降;薄膜的光吸收系数随衬底温度的升...
作者：胡懿彬 郝智彪 胡健楠 钮浪 汪莱 罗毅 刊期：2012年第06期
采用等离子体辅助分子束外延（PA-MBE）研究了Al金属插入层对Si（111）衬底上AlN薄膜材料生长的影响。结果证明,Al插入层可改善AlN外延层的晶体质量,而且引入Al预扩散机制可消除外延表面的孔隙。同时,采用AlN插入层预扩散有利于获得Al极性的AlN,否则倾向于获得N极性的AlN。
作者：郑兰花 徐进 潘淼 陈朝 史珺 刊期：2012年第06期
研究了冶金法n型多晶硅片磷吸杂、硼吸杂效果及其机理。研究发现,经1 000℃/4h磷吸杂后,硅片平均少子寿命从1.21μs提高到11.98μs;经950℃/1h硼吸杂后,平均少子寿命从1.52μs提升到10.74μs。两种吸杂处理后,硅片电阻率从0.2Ω.cm提高到0.5Ω.cm。结果表明,两种吸杂工艺使得硅片表面形成的重磷、重硼扩散层对金属杂质有较好的吸杂作用,从而减少载流子...
作者：陈竞芬 李宝铭 涂兆 王攀 郑玉婴 刊期：2012年第06期
对可溶性聚{（3-丁酰基）吡咯-[2,5-二（对十四烷氧基苯甲烷）]}（PBPDTBA）的荧光特性进行了系统的研究。结果表明,浓度一定时,PBPDTBA在二氯甲烷中具有最大的荧光量子产率0.118;随着浓度的增加,PBPDTBA在二氯甲烷中的荧光发射峰强度出现先增强后减弱的趋势,当浓度为0.03mg/mL时,溶液具有最大的荧光发射峰强度;不良溶剂的加入导致PBPDTBA的二氯...
