杂志简介：《半导体光电》杂志经新闻出版总署批准，自1976年创刊，国内刊号为50-1092/TN，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份双月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：动态综述、光电器件、材料、结构及工艺、光电技术及应用
杂志简介：《半导体光电》杂志经新闻出版总署批准，自1976年创刊，国内刊号为50-1092/TN，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份双月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：动态综述、光电器件、材料、结构及工艺、光电技术及应用
作者：李国强 杨慧 刊期：2012年第02期
通过对比分析目前氮化物LED的三种主要衬底即蓝宝石、SiC与Si的技术特点,指出了发展Si衬底LED的重要意义。详细介绍了目前国内外Si衬底LED的研究现状,解析了在Si衬底上制备LED的多种新型技术,主要包括以提高薄膜沉积质量为目的的缓冲层技术、激光脱离技术、图案掩模技术、阳极氧化铝技术,以及以提高光提取率为宗旨的镜面结构技术和量子阱/量子点...
作者：丘永元 张佰君 刊期：2012年第02期
研究了白光LED远场隔离封装中隔离距离对发光效率及相关色温（CCT）的影响。实验结果表明,低电流输入条件下,白光LED的发光效率随芯片表面到荧光粉层距离变化是非线性的,当芯片表面到荧光粉层距离为0.88mm时具有最佳发光效率74lm/W,白光LED相关色温随着距离的增加呈线性下降。这为白光LED的一次光学设计提供了实验依据。
作者：魏寅 王秀峰 张麦丽 张方辉 丁磊 刊期：2012年第02期
制作了一种以Al为金属反射膜和金属半透膜的微腔有机电致发光器件（OLED）。器件结构是：Al/MoO3/NPB/ADN∶TBPe∶DCJTB/Alq3/LiF/Al。设计了五种厚度的金属Al阳极半透膜器件,Al半透膜的厚度依次为：12nm,13nm,14nm,15nm,16nm。通过调节阳极Al半透膜的厚度,改变微腔的光学长度,研究微腔效应对器件性能的影响。利用Al半透膜阳极厚度的变化,调整微...
作者：陈渝 张耀麒 陈倩 刊期：2012年第02期
利用自相关的方法,从理论上仿真计算了高斯型光谱、不对称光谱、平坦滤波光谱和带纹波的高斯型光谱等各种谱形的宽谱光源的时间相干性。对各种光谱的相干特性加以分析,得出结论：光谱的不对称性将对低级干涉条纹产生明显的影响,而纹波将显著增加光源的相干时间,这两种特性的光源都将对光纤陀螺的性能产生一定的影响。
作者：蔡刚刚 谢元平 王新 刊期：2012年第02期
去除激光陀螺输出信号中的抖动信号是机械抖动偏频激光陀螺（MDRLG）信号处理电路的主要工作之一。文章对LMS算法中误差因子响应特性对LMS自适应抖动剥除效果的影响进行了研究。为改善抖动剥除效果,在自适应抖动剥除算法中引入了带通滤波器,并采用基于FPGA的激光陀螺自适应抖动剥除系统对误差因子采用带通滤波时的静态性能和动态响应特性进行了...
作者：胡成华 史玲娜 夏川茴 周木 刊期：2012年第02期
为提高LED光能利用率,设计了一种自由曲面的全内反射（TIR）透镜。根据LED的光能分布特点,通过控制光线路径得到TIR透镜折射面和反射面轮廓曲线上的离散点,利用插值得到样条曲线,再经旋转360°得到TIR透镜的模型。利用Tracepro软件对经TIR透镜的光线进行追迹,根据光能利用率要求优化透镜结构,得到在保持透镜小尺寸的同时,光能利用率为95.26%,光束...
作者：白继锋 高欣 薄报学 黄尊祥 陈凯轩 马祥柱 刊期：2012年第02期
介绍了一种利用盐酸、磷酸混合液对不同Al组分（AlxGa1-x）0.5In0.5P的选择性腐蚀特性对倒装AlGaInP红光LED进行表面粗化的方法。通过向粗化层GaInP加入适量的Al,在Al组分为0.4时,利用体积比为1∶10的HCl∶H3PO4可以得到横向尺寸约为60nm,纵向尺寸约为150nm的最有利于出光的类三角圆锥型表面结构。器件测试结果表明,在20mA注入电流下,器件外量子...
作者：陈红红 李月卉 刊期：2012年第02期
提出了一种对称化线性双共轭梯度（BiCG）迭代算法,应用于光电工程领域中波导问题的分析。该算法是针对有限元线性系统系数矩阵的大型复对称特性,在常规BiCG迭代法基础上对其进行对称化所得到的快速迭代求解算法。数值结果表明,所提出的对称BiCG迭代法比若干常用方法更加有效。
作者：周艺 郭长春 欧衍聪 肖斌 李荡 高振洲 刊期：2012年第02期
采用低温酸刻蚀,通过优化HF-HNO3-H2O腐蚀溶液体系配比及相关工艺参数,在多晶硅材料的表面制备了绒面结构,并进行SEM表面形貌分析和反射谱的测试。结果表明,低温刻蚀比常温刻蚀在生产工艺中更有利于控制反应速度,从而得到效果较好的绒面结构。研究中发现,在不同HF-HNO3-H2O腐蚀溶液体系配比中,温度对反应速率的影响有较大差异,当HNO3含量相对较...
作者：冯琳 褚夫同 唐永旭 李瑶 刘兴钊 刊期：2012年第02期
以In2O3和GeO2为原料,采用碳还原法制备了In2Ge2O7多晶薄膜,利用XRD和SEM对薄膜的结构和形貌进行了表征。对基于In2Ge2O7薄膜的金属-半导体-金属（MSM）紫外探测器进行了紫外光电导特性测量,结果显示：在波长为250nm的紫外光照射下,在5V偏压下,器件的光电流为727μA（暗电流为12μA）,光响应度达到262.9A·W^-1,光响应上升时间约为67s,下降时间约为...
作者：罗晓华 何为 刊期：2012年第02期
电磁场同物质相互作用问题可以归结为电磁场同不同折射率形成的＂势场＂相互作用问题。当电磁场（光子）在周期＂势场＂中传播时,能量将分裂成带。文章从麦克斯韦方程出发,讨论了电磁场与周期介质的相互作用,并用转移矩阵方法导出了系统的色散关系,描述了周期介质中布洛赫波的传播及系统的稳定性。
作者：何璇 陈长缨 洪岳 张浩 刊期：2012年第02期
单晶硅材料中光生少数载流子寿命是太阳电池设计及生产过程中需要考虑的一个重要参数。基于微波光电导法的测量原理,从单晶硅材料中的电导率和少数载流子浓度的关系着手,提出了一种基于激光-微波双辐射源的硅材料非平衡少数载流子寿命测量系统,实现了对其寿命的初步测量。实验表明,该设计方案具有可行性。
作者：冯志伟 张红 许辉 刊期：2012年第02期
开发了一种应用于大功率LED散热的排式热管散热器。在大空间自然对流冷却环境中,分别在0°、30°、60°、90°放置条件下对其启动性能、均温特性、散热性能进行了试验研究。试验结果表明：散热器启动性能良好,启动时间约为67min;在输入功率为30～70W的范围内,热源表面中心点温度不超过75℃;各倾角下散热器均具有较低的总热阻及扩散热阻,0°放置时总热...
作者：张松 席曦 王振交 唐宁 季静佳 李果华 刊期：2012年第02期
研究了应用链式扩散设备对经过制绒、清洗、扩散和刻蚀处理后的单晶P型硅片进行热氧化SiO2膜的生长。采用准稳态光电导衰减法（QSSPC）在室温条件下对氧化前后硅片的少子寿命进行测试,探讨了氧化工艺条件对少子寿命、SiO2薄膜质量的影响机理,并对氧化工艺进行了优化。实验结果表明：在氧气流量为20L/min,带速为13i/m,氧化工艺区阶梯式温度设置为...
作者：袁建国 梁天宇 何清萍 何丽 王永 刊期：2012年第02期
理论上分析了相干光正交频分复用（CO-OFDM）系统中相位噪声（PN）和色度色散（CD）对星座图的影响,并详细探讨了CO-OFDM系统中基于导频的直接判决均衡器（DDE）的原理,还对其性能进行了仿真分析。仿真结果表明：在不同的传输距离下,DDE的误码率都能呈瀑布状下降至10-3这一公认的前向纠错（FEC）门限,使得后续的FEC模块可以让误码率迅速降低。此...
