杂志简介：《半导体光电》杂志经新闻出版总署批准，自1976年创刊，国内刊号为50-1092/TN，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份双月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：动态综述、光电器件、材料、结构及工艺、光电技术及应用
杂志简介：《半导体光电》杂志经新闻出版总署批准，自1976年创刊，国内刊号为50-1092/TN，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份双月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：动态综述、光电器件、材料、结构及工艺、光电技术及应用
作者：张虎; 王秋国; 杨伯君 刊期：2007年第03期
阐述了带隙型光子晶体光纤（PBG-PCF）的发展历史、导光机制和三角形结构光子带隙光纤的特点;较全面地讨论了带隙型光子晶体光纤的特性;重点讨论了现有带隙型光子晶体光纤损耗较大的原因及进一步减小损耗的方法。
作者：朱彬; 韩勤; 杨晓红; 李文兵 刊期：2007年第03期
共振腔增强型光电探测器（RCE-PD）作为一种新型光电探测器,具有高量子效率、高响应度和波长选择性等优点,成为目前光纤通信领域中最为重要的探测器之一。在数字和模拟光传输系统中,高功率探测器由于具有高信噪比、低插入损耗等优点,在国际上越来越受到重视。综述了这两种探测器的基本结构、发展状况,展望了其发展前景等。指出高功率共振腔增强...
作者：赵爽; 吴重庆 刊期：2007年第03期
全光触发器是数字光信号处理的基础技术,也是全光分组交换网的关键技术之一。文章就光触发器的功能模型与性能指标提出了自己的见解,概括总结了各种光触发器的原理与性能,并进行了比较。
作者：于军胜; 李璐; 涂霞; 林慧; 黎威志; 蒋亚东 刊期：2007年第03期
以柔性材料聚对苯二甲酸乙二酯（PET）为基底,在自行溅射的方阻为50Ω/□的氧化铟锡（ITO）导电薄膜上制备了结构为PET/ITO/NPB/Alq3/Mg∶Ag和PET/ITO/NPB/Alq3∶DCJTB/Mg∶Ag的绿色和红色器件,其最高亮度分别为18 cd/m^2和170 cd/m^2。利用原子力显微镜（AFM）表征了柔性ITO和有机薄膜的形态,结果表明,影响柔性电致发光器件性能的主要因素是ITO...
作者：张剑华; 王俊西; 李雪勇; 李宏建 刊期：2007年第03期
选用8-羟基喹啉铝（Alq3）作基材,用具有强红光发射的四（4-羟基-3苯偶氮基）苯基卟啉（TPP）对Alq3进行掺杂,制备结构为ITO/PVK/Alq3∶TPP/Al红光器件,并与在此结构中带有LiF、类金刚石碳（DLC）薄层的四种器件的电致发光光谱、电流-电压和亮度-电压特性进行了比较。结果表明：将LiF、DLC薄层分别用在Alq3/Al界面之间,可降低界面的注入势垒,增...
作者：锁钒; 于军胜; 邓静; 黎威志; 蒋亚东 刊期：2007年第03期
以聚合物聚[2-甲氧基-5-（2′-乙烯基-己氧基）聚对苯乙烯撑]（MEH-PPV）为发光层,采用旋涂方法制备了两种不同结构的有机电致发光器件（OLED）,分别为：ITO/MEH-PPV/Alq3/Mg∶Ag和ITO/MEH-PPV/bathocuproine（BCP）/Alq3/Mg∶Ag。对两种器件的电致发光谱、J-V曲线和L-V曲线等发光特性进行了分析研究。对比发现,采用BCP为空穴阻挡层的结构具有较...
作者：杨广立; 冯飞; 熊斌; 王跃林 刊期：2007年第03期
提出了一种具有“双材料梁-微镜一体化”特征结构的光读出红外成像阵列器件。该特征结构集成了红外敏感、调制和输出读出可见光信号的双重功能。通过研究相关性能,完成了像素单元尺寸的优化设计。理论计算表明,其关键性能指标的热-机械灵敏度和噪声等效温差分别为2.14×10^-3rad/K和2.94 mK。
作者：张博; 吕英华; 张洪欣; 王许菲; 徐军; 杨钊 刊期：2007年第03期
以垂直腔面发射半导体激光器（VCSEL）为研究对象,采用Volterra方法结合速率方程理论,从器件设计角度,分析了在5 GHz微波信号模拟调制情况下出射面反射镜的反射率、有源区厚度和光限制因子对其二阶谐波失真、三阶谐波失真和三阶互调失真的影响。结果表明,对于垂直腔面发射半导体激光器,采取大反射率、小有源区厚度和小光限制因子有利于降低器件...
作者：朱宗玖; 周孟然 刊期：2007年第03期
利用两个光纤环镜作为线形腔的端镜,在其中一个环镜中加入腔长可调的F-P腔构成梳状滤波器,从而产生波长间隔可调的多波长激光振荡。实验结果表明,当波长间隔大于1.3nm时,器件可以产生室温下稳定的多波长激光。
作者：林巧明; 郭霞; 顾晓玲; 梁庭; 郭晶; 沈光地 刊期：2007年第03期
通过对蓝光和红光发光二极管在直流和脉冲电流两种情况下进行变电流测试,对其峰值波长的偏移情况进行了深入的对比分析和研究,指出主要是热效应和极化效应两个因素造成蓝光LED的峰值波长发生偏移,并计算出热效应单独引起峰值波长偏移的温度系数为0.080 7nm/K,In0.2Ga0.8N/GaN发光二极管量子阱中的极化强度为3.765 0 MV/cm;分析还认为电流注入下...
作者：黄烈云; 吴琼瑶; 赵文伯; 叶嗣荣; 向勇军; 刘小芹; 黄绍春 刊期：2007年第03期
采用MOCVD方法在双面抛光的（0001）蓝宝石衬底上生长了高铝组分AlGaN材料,研制出日盲型AlGaN PIN紫外探测器。详细介绍了该器件的结构设计和制作工艺,并对该器件进行了光电性能测试。测试结果表明：器件的正向开启电压约为4.5 V,反向击穿电压大于20V;常温下（300 K）,该器件在3 V反向偏压下的暗电流约为50 pA,在零偏压下270 nm处峰值响应度达到...
作者：周跃平; 郭霞; 王海玲; 高国; 沈光地 刊期：2007年第03期
将来自相同外延片和相同制作工艺的30只GaN基绿色发光二极管管芯分成3组,分别加30、40和60 mA电流进行不同时间的老化试验。在老化之前和老化期间测量了器件的光输出功率和Ⅰ-Ⅴ特性。将测得的光输出功率数据对时间进行指数函数拟合,得到了每一组器件的退化率及寿命,并推出器件在正常使用条件下的寿命。实验数据分析表明在电流应力作用下,GaN基...
作者：沈光地; 张念国; 刘建平; 牛南辉; 李彤; 邢艳辉; 林巧明; 郭霞 刊期：2007年第03期
利用金属有机物化学气相淀积（MOCVD）系统生长了InGaN/GaN多量子阱双波长发光二极管（LED）。发现在20 mA正向注入电流下空穴很难输运过蓝光和绿光量子阱间的垒层,这是混合量子阱有源区获得双波长发光的主要障碍。通过掺入一定量的In来降低蓝光和绿光量子阱之间的垒层的势垒高度,增加注入到离p-GaN层较远的绿光有源区的空穴浓度,从而改变蓝光和...
作者：吴天伟; 武斌 刊期：2007年第03期
量子阱结构超辐射发光二极管（SLD）具有良好的温度特性和一致性。简要介绍了一种1.3μm量子阱结构超辐射发光二极管的外延结构,就该结构的一次光刻工艺进行了详细介绍。通过一系列的实验,确定出一个在现有条件下一次光刻的最佳工艺条件。
作者：王希军; 李德胜; 马於光 刊期：2007年第03期
根据激光物理半经典理论,利用量子力学二级含时微扰方法,推导出双光子吸收几率与激发光的强度平方成正比的计算结果,在推导过程中假设入射光是非偏振的,并且简化激发光场为单频电场,这与实验中实际激发光不一致,但对所要计算的结果来说是足够精确的。给出了大分子有机染料双光子吸收截面的表达形式并进行了估算,得出双光子吸收截面的量级约为10^...
