杂志简介：《半导体光电》杂志经新闻出版总署批准，自1976年创刊，国内刊号为50-1092/TN，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份双月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：动态综述、光电器件、材料、结构及工艺、光电技术及应用
杂志简介：《半导体光电》杂志经新闻出版总署批准，自1976年创刊，国内刊号为50-1092/TN，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份双月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：动态综述、光电器件、材料、结构及工艺、光电技术及应用
作者：蔡毅 刊期：2007年第01期
硅化铂红外焦平面探测器具有规模大、均匀性好、响应光谱宽、制造成本低、性能稳定等优点，但也存在着光电转换量子效率低、探测元填充因子小等不足。根据这些特点与红外成像仪的应用需求，分析了硅化铂红外焦平面探测器的特点与应用方向——大面积红外成像侦察与监视、多光谱/宽光谱成像、低成本红外成像制导、强光探测、科学和工业红外测试仪...
作者：徐学俊; 余金中; 陈少武 刊期：2007年第01期
SOI纳米线波导具有对光场限制作用强、传输损耗低、弯曲半径小、集成度高、与传统CMOS工艺兼容等优点，采用SOI纳米线波导能够大大缩小光子器件的长度和面积，提高器件工作速度和效率，降低器件功耗。介绍了SOI纳米线波导在模式、损耗、偏振等方面与传统大尺寸硅基波导所表现出来的不同特性，评述了当前关于SOI纳米线波导和基于SOI纳米线波导光...
作者：孙琪真; 刘德明; 王健 刊期：2007年第01期
全面综述了全分布式光纤应力传感器的发展概况。对光后向散射技术、光学非线性效应、模式耦合技术和光干涉技术的主要研究方案进行了评述，重点介绍和分析了实现高空间分辨率和动态应力测量的新技术。最后展望并讨论了全分布式应力传感器的发展趋势和应用前景。
作者：宁提纲; 刘艳; 裴丽; 谭中伟; 童治; 张帆; 王春灿; 简水生 刊期：2007年第01期
对偏振态稳定的单、双波长可以选择的光纤激光器进行了研究。扭转光纤控制构成腔的偏振态，实现单偏振的单、双波长激光输出转换，选频器采用保偏光纤上写入的光纤光栅，改变保偏光纤的双折射可实现激光输出双波长间隔的自由调谐。室温下，相关实验获得激光双波长间隔0.6 nm，输出功率8 dBm。
作者：蔡然; 薛蔡; 胡渝 刊期：2007年第01期
匹配高系统集成度的半导体二极管激光列阵（DLA）多发光单元特性的高系统集成度外腔工作参数稳定技术，通过拾取外腔形变传感器的响应等运行状态监控参数，经映射处理等处理后，获取控制参数，适时调整基超模运行所需腔体参数等，反馈控制，使DLA稳定运行于基超模。求得系统控制参数与外腔等参数之间的关系，以及建立相应鲁棒控制模型，是随DLA...
作者：乔学光; 习聪玲; 贾振安; 刘颖刚 刊期：2007年第01期
报道了一种结构简单、工作在C＋L波段的掺铒宽带光源。实验中用3 dB宽带耦合器作为光纤反射镜，同时利用功率控制电路使光源输出光稳定，先用两个980 nm二极管作为抽运源，将后向的C波段ASE重新引回光纤中，提高了抽运源的利用效率和光纤输出光的稳定性，优化掺铒光纤长度，获得了功率高达26.67 mW（14.26 dBm）的C＋L波段ASE光输出，平均波长15...
作者：王刚; 罗斌; 潘炜 刊期：2007年第01期
从速率方程出发，利用小信号分析方法对垂直腔半导体光放大器（VCSOA）的频率响应特性进行了研究。在考虑了量子阱材料中的增益和载流子浓度之间的对数关系后，得到了VCSOA的峰值响应频率以及3 dB频率响应带宽的解析表达式。结果表明，VCSOA的频率响应特性受抽运光强度、输入光功率以及自发辐射因子的影响。
作者：张宾; 罗风光; 曹明翠; 袁菁; 袁华伟 刊期：2007年第01期
采用基于帕德算子的宽角多步有限差分光束传播算法模拟双通道交叉波导单元光场传输特性，讨论了交叉角度对交叉单元分支波导输出光功率和波导间串扰的影响。结果表明，交叉角很小时，直波导的功率输出变化不稳定，相邻波导间串扰大。交叉角大于5°时，直波导的归一化输出光功率超过0.9，且随着交叉角增大而逐渐增大至趋于稳定，相邻波导间的串扰...
作者：谢雪松; 吕长志; 张小玲; 李志国; 冯士维 刊期：2007年第01期
用反应分子束外延（RMBE）方法在蓝宝石衬底上制备了GaN p-i-n结构，应用常规的半导体工艺制成了紫外光探测器，测试结果显示其正向导通电压为4.6 V，反向击穿电压大于40V；室温下反偏3 V时的暗电流为6.68 pA，峰值响应度0.115 A/W出现在367 nm处；400 nm处的响应度为6.59×10^-5A/W，比峰值响应度低四个量级。
作者：武利翻; 刘昌林; 陈红兵; 汪建平; 熊平 刊期：2007年第01期
建立了电荷耦合器件（CCD）纵向抗晕结构模型，运用半导体器件二维数值模拟软件MEDICI，对建立的纵向抗晕CCD器件模拟结构进行数值计算，并详细分析和讨论了衬底反偏电压、1PW层硼掺杂浓度、n型沟道磷掺杂浓度和TG转移栅下P杂质掺杂浓度等参数对CCD纵向抗晕能力的影响，得到了CCD纵向抗晕结构的一种优化结构。
作者：钟建; 陈文彬; 杨刚; 蒋泉; 张磊; 王军; 林慧; 蒋亚东 刊期：2007年第01期
采用真空热蒸镀技术，以TPBi为蓝光主体材料制备了一类多层结构的蓝色有机发光二极管（OLED），其结构为：ITO/CuPc（30 nm）/NPB（40 nm）/TPBi（30 nm）：GDI691（x%）/Alq3（20 nm）/LiF（1 nm）/Al（50 nm），其中x%为发光层掺杂浓度，实验中分别取1%，2%，3%和4%。从测试结果分析可知：蓝色OLED器件的电流-电压特性曲线，亮度-电压曲线，亮...
作者：龙兴明; 周静 刊期：2007年第01期
从实际应用出发，讨论了基于三基色加性混光原理的发光二极管（LED）照明技术中涉及的混光、自适应驱动电路及相关工艺问题，提出了色彩可预置的人性化LED驱动电路，并着重阐述了该电路的设计及实现过程。
作者：李华平; 柴广跃; 彭文达; 牛憨笨 刊期：2007年第01期
从解决大功率发光二极管散热和材料热膨胀系数匹配的角度，介绍了几种典型的封装结构及金属芯线路板（MCPCB）的性能，并简要分析了其散热原理。最后介绍了等离子微弧氧化（MAO）工艺制作的铝芯金属线路板，低成本、低热阻、性能稳定、便于加工和进行多样结构的封装是其突出优点。对采用MAO工艺的MCPCB基板封装的瓦级单芯片LED进行了热场的有限...
作者：张文普; 袁祥辉 刊期：2007年第01期
研制了一种采用电流镜积分读出电路和相关双采样电路的X射线CMOS图像传感器（NEW-X-IS），传感器像元由采用CMOS工艺的光电二极管实现，光电二极管产生的光电流通过电流镜放大后在像元外的电容上积分，经相关双采样电路抑制噪声后，由CMOS移位寄存器和多路开关电路输出视频信号。对采用2μm CMOS工艺研制的64位实验线阵进行参数测试，结果表明NEW...
作者：周珂; 陈晔; 沈珊瑚; 史峥 刊期：2007年第01期
讨论了部分相干成像系统空间点光强的一种近似算法，即通过特征值分解的方法将部分相干成像系统的Hopkins公式展开为N阶相干系统之和的SOCS算法，并提出了优化的N的取值方案。该方案充分考虑了光刻系统参数对N的取值影响。实验结果证明，采用新的N取值方案的近似算法是一种高精度的算法。
