杂志简介：《半导体光电》杂志经新闻出版总署批准，自1976年创刊，国内刊号为50-1092/TN，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份双月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：动态综述、光电器件、材料、结构及工艺、光电技术及应用
杂志简介：《半导体光电》杂志经新闻出版总署批准，自1976年创刊，国内刊号为50-1092/TN，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份双月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：动态综述、光电器件、材料、结构及工艺、光电技术及应用
作者：熊平; 唐遵烈; 邓光华; 李平; 易平 刊期：2005年第B03期
介绍了我们研制的1024元线列PtSi肖特基势垒红外电荷耦合器件(CCD)。器件采用最小2微米设计规则，两层多晶硅结构。器件的像元尺寸为30um×30μm。器件采用品字形排列，占空比为100％。1024位探测器存储的电荷分两路CCD到同一个浮置扩散放大器上输出。器件在80K温度下工作。在积分时间为4毫秒及镜头为F／1条件下，器件噪声等效温差为0．1K。用1000...
作者：张坤 刊期：2005年第B03期
详细讨论了不同片上放大器的设计与仿真；分析比较了影响CCD图像传感器信号输出幅度的因素；给出了仿真结果。
作者：袁祥辉; 吕果林; 黄友恕 刊期：2005年第B03期
介绍一种采用电流镜放大读出电路的CMOS图像传感器。该读出电路能向光敏二极管提供恒定的接近于零的偏压，使二极管暗电流和暗噪声减小；它的输入阻抗低，注入效率高，动态范围大；光电流放大10倍后再去积分、输出，使器件灵敏度大大提高。采用2μmCMOS工艺研制出64位线阵样品，得到比较满意的实验结果。
作者：陈二柱; 唐成伟; 江美玲; 梁平治 刊期：2005年第B03期
应用标准CMOS工艺，同时结合体硅微机械加工技术，研制成功横向多晶硅p^+P^-n^+微测辐射热计单元；基于研制成功的微测辐射热计，设计了规模为128×128面阵的非致冷红外焦平面。采用标准CMOS工艺制作横向多晶硅p^+P^-n^+结热敏响应元和读出电路；在CMOS工艺完成后，辅以与CMOS工艺兼容的体硅微机械加工工艺，制备微桥形式的热绝缘结构，从而方便...
作者：刘昌林; 李仁豪; 唐绍凡; 周旭东; 龙飞 刊期：2005年第B03期
CCD具有低响应非线性、宽光谱响应、低噪声、高动态范围和测光精度，已被广泛应用于许多成像领域。本文介绍了利用三层多晶硅、埋沟、双层金属工艺研制的16抽头512×512元高帧速可见光CCD。测试结果表明，该器件具有高的光响应均匀性、高动态范围和低噪声，并已成功应用于高分辨率高速成像。
作者：李仁豪; 蒋志伟; 龙飞 刊期：2005年第B03期
采用硅工艺，实现了高分辨率4096×96TDI可见光CCD设计及制作。本文介绍了高分辨率4096×96TDI可见光CCD的结构设计及制作，给出了测试结果。
作者：刘宇; 王国裕 刊期：2005年第B03期
本文分析了APSCMOS图像传感器传统像素复位电路引起的动态范围缩小、固定图像噪音增大和图像滞后等问题。比较了两种复位电路改进方案的优势与不足。提出了采用电荷泵电路设计APSCMOS图像传感器复位电路的新方案。该方案增加了CMOS图像传感器的动态范围，消除了复位引起的固定图像噪音和图像滞后，避免了前两种方案的不足。所有的电路仿真均在CH...
作者：向思桦; 陈四海; 潘峰; 黄磊; 赖建军; 柯才军; 易新建 刊期：2005年第B03期
提出了一种用MEMS工艺制作的新型的柔性曲面复眼探测器模型，它具有如昆虫复眼一样的曲面多孔径结构，体积小巧，探测视场大，探测灵敏度高，而且可以合并几个探测器而实现360。全视场探测，它具有对物体角运动十分敏感的特点，能简单而精确地探测出物体的角坐标方位和角运动速度。文中阐述了这种探测器的成像原理，探测器中的晶锥能起到限制杂...
作者：张松; 徐运华; 谢文青; 方家熊 刊期：2005年第B03期
介绍了一种采用开关门阵列结构实现的9级TDI功能的读出电路。片中包含了脉冲发生电路。测试结果表明，该电路能够实现9级积分功能，电荷处理能力为11．9pC，电压输出摆幅为3．1V，最小可积分电流为0．1nA。
作者：宋敏; 郑亚茹; 王玉新 刊期：2005年第B03期
介绍了利用Michelson干涉仪测量CCD调制传递函数的方法，与其他方法相比，该方法具有测量装置简单、将正弦图样投射到待测cCD阵列上无需借助光学系统等特点。给出了典型的线阵和面阵CCD的调制传递函数曲线的测量结果。
作者：王享田; 宋建伟; 吴志明; 蒋亚东 刊期：2005年第B03期
微测辐射热计FPA的热设计是非致冷红外探测器设计的难点和关键。针对RIO推出的μm×25μm IRFPA对其热性能作了分析，分析了桥面尺寸的减小对探测元被红外辐照后的温度变化率的影响，以及单个探测元在受红外辐照和偏置脉冲时的温度变化，并使用有限元分析软件ANSYS8．0模拟了单个热绝缘结构在稳态工作时的温度场分布。
作者：谢文青; 徐运华; 张松; 方家熊 刊期：2005年第B03期
报道一种能够实现时间延迟积分(TDI)功能的单元CMOS读出电路．具有戽链器件(BBD)结构，其输入级为电容反馈互阻抗放大器(CTIA)。介绍了读出电路的设计．并对该电路进行了功能仿真和流片验证。该芯片采用0．6μm双层多晶硅双层金属CMOS工艺。测试结果表明，在常温下，本电路能够实现9级TDI功能，电荷处理能力为2．5pC，工作电压5V。最后讨论了电路...
作者：刘宇; 王国裕; 赵洪信; 崔昭华 刊期：2005年第B03期
介绍了一种基于CHRT公司0．35μm工艺而设计的CMOS图像传感器。该图像传感器采用APS像素结构，像素阵列256×256，包含有列放大器、阵列扫描、串行接口、控制逻辑和ADC等模块。该图像传感器采用动态数字双采样(DDDS)的新方法消除FPN噪音并已经通过MPW采用CHRT0．35μm salicide 2P4M工艺流片。
作者：王祖军; 唐本奇; 张勇; 肖志刚; 黄绍艳 刊期：2005年第B03期
运用半导体器件二维数值模拟软件MEDICI，分别对能量为1MeV和14MeV的中子，在注量范围为3×10^14～5×10^14cm^-2辐照下，对CCD器件电荷转移效率的变化规律进行数值模拟研究。建立了MEDICI软件模拟CCD电荷转移效率变化的器件物理模型、中子辐照模型，并对模拟结果进行了机理分析，得出中子辐照诱导CCD器件电荷转移效率降低的初步规律。
作者：张卓勋; 谭千里; 肖灿; 孙诗 刊期：2005年第B03期
采用计算机数值分析软件对硅PIN光电探测器的光电特性进行了研究；对硅PIN光电探测器的结构及电势分布作了详细讨论．同时讨论了其正向特性、反向特性和光敏特性。这对了解和改进器件特性有重要作用。
