杂志简介：《半导体光电》杂志经新闻出版总署批准，自1976年创刊，国内刊号为50-1092/TN，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份双月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：动态综述、光电器件、材料、结构及工艺、光电技术及应用
杂志简介：《半导体光电》杂志经新闻出版总署批准，自1976年创刊，国内刊号为50-1092/TN，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份双月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：动态综述、光电器件、材料、结构及工艺、光电技术及应用
作者：朱文清 刊期：2005年第02期
总结了陶瓷厚膜介质电致发光器件(TDEL)的发展历程和近期进展.介绍和比较了TDEL器件的特殊结构和优异的显示特性,以及陶瓷厚膜介质的工艺特点及器件的成本.重点阐述了iFire技术公司的新颖的颜色转换彩色显示实现方案,并对其产业化前景作了展望.
作者：郑代顺; 钱可元; 罗毅 刊期：2005年第02期
以GaN基蓝光LED芯片为基础光源制备了大功率蓝光LED,并通过荧光粉转换的方法制备了白光LED.对大功率蓝光和白光LED进行了寿命试验,并对其失效机理进行了分析.结果表明,大功率LED的光输出随时间的衰减呈指数规律,缺陷的生长和无辐射复合中心的形成,荧光粉量子效率的降低,静电的冲击,电极性能不稳定,以及封装体中各成分之间热膨胀系数失配引起的机...
作者：张建平 刊期：2005年第02期
利用最小二乘法(LSM)完成了红外发光二极管(LED)恒定与步进应力加速寿命试验数据的统计分析,并自行开发了可视界面和通用性强的寿命预测软件.数值结果证实了红外LED的寿命服从对数正态分布以及加速寿命方程完全符合逆幂定律,并精确地计算出预测该器件寿命所用到的关键性参数,从而使其在很短的时间(1000h)内估算寿命成为可能.
作者：路国光; 套格套; 尧舜; 孙艳芳; 单肖楠; 王超; 刘云; 王立军 刊期：2005年第02期
对InGaAsP/GaAs有源区无铝的808 nm大功率半导体激光器进行了高温恒流加速老化实验,得到了器件在高温条件下的寿命,利用外推公式推算出激光器在室温条件下工作的寿命可超过30000 h.讨论了实验中出现的灾变退化现象,提出了防止灾变退化的几种方法.
作者：黄成; 黄辉; 王文娟; 黄永清 刊期：2005年第02期
在一镜斜置三镜腔型光探测器的基础上提出了一种适用于波分复用系统的具有平顶陡边响应的可调谐光探测器结构.该器件由双半波滤波器结构的滤波腔和具有斜镜结构的吸收腔构成,实现了量子效率与光谱响应线宽间的解耦,具有高响应速度与高量子效率;同时,其光谱响应具有良好的平顶陡边特性和窄的光谱响应线宽,并且具有较大的调谐潜力.
作者：李炳乾 刊期：2005年第02期
设计了悬臂梁结构电热激励、压阻拾取硅微机械谐振器件,分析了电热激励和压阻拾取的基本工作原理,设计了与Bipolar工艺兼容的器件制作工艺流程,并制作了器件样品.对真空中器件的幅频特性进行了实验研究,研究结果表明,在粗真空范围内,保持激励功率不变的情况下,微悬臂梁的振幅、谐振频率与真空度之间具有明显的依赖关系,可以用来设计、制作MEMS粗...
作者：帅词俊; 段吉安; 苗建宇; 蔡国华 刊期：2005年第02期
以六轴光纤耦合机为实验平台,研究了熔融拉锥光纤耦合器的工艺、性能、显微形貌三者之间的相关规律.利用热电偶和电位差计测得了熔融拉锥时火焰的温度场分布,利用扫描电子显微镜观察了光纤耦合器的显微形貌.经大量观测实验研究发现:在光纤耦合器的锥形区域,存在皲裂,并且拉伸速度越快,皲裂越明显;在光纤耦合器的耦合区域,光纤表面存在微小晶粒,...
作者：孙艳; 赵宏; 王昭 刊期：2005年第02期
在用反射干涉频谱法(Rifs)测量薄膜厚度的过程中,使用'Y'型光纤作为传光的媒介,光纤测试端发射出的光照射到薄膜上,反射光又回到了该光纤中.对反射光进行频谱分析可以计算出薄膜测试处的厚度.由于是光学非接触式测量,而光束又有发散性,所以薄膜的表面不平度以及光纤相对于薄膜的位置直接影响测试的准确度.对该现象的研究表明:为提高测试准确度,...
作者：叶嗣荣; 肖灿; 黄烈云; 向勇军 刊期：2005年第02期
采用剥离技术,实现了GaN基紫外探测器件与硅读出电路的倒焊对接,对提高GaN基紫外图像传感器的电学特性起到了重要的作用.介绍了剥离技术的原理,实验结果分析及应用.
作者：钱可元; 胡飞; 吴慧颖; 罗毅 刊期：2005年第02期
详细分析了照明用大功率LED的封装技术,在大量实验的基础上,提出了一些具体的解决方案,设计了独特的封装结构.介绍了在色度稳定性与均匀性、改善散热条件等方面所作的探索,并对LED驱动电流和发光色温的关系进行了讨论.
作者：刘静; 李丰 刊期：2005年第02期
介绍了在可伐管壳封接工艺中可伐合金退火的重要性及目的,并分析得出了可伐合金退火的最佳温度及气氛.
作者：谢浩锐; 钟景昌; 赵英杰; 王晓华; 郝永芹; 刘春玲; 姜晓光 刊期：2005年第02期
在垂直腔面发射激光器(VCSEL)中常用氧化物限制结构来对其进行电流和光场的限制.分别从氧化时间、氧化温度、氧化载气的气流量三方面讨论研究了它们对Al0.98Ga0.02As层氧化深度、氧化速率的影响.最后得到最佳氧化条件:氧化温度为422℃,氧化载气的气体流量为1.5 L/min,氧化速率为0.6μm/min.用在此最佳氧化条件下氧化的外延片制成VCSEL器件,室温下...
作者：张宇翔; 卢景霄; 杨仕娥; 王海燕; 陈永生; 冯团辉; 李瑞; 郭敏 刊期：2005年第02期
用等离子体增强型化学气相沉积先得到非晶硅薄膜,再用卤钨灯照射的方法对其进行快速光热退火,得到了多晶硅薄膜,它与传统退火相比,退火时间大大缩短.用XRD衍射谱、暗电导率和拉曼光谱等手段对其进行了测量.对部分样品的照射光做了滤波,滤掉了波长600 nm以下的光,发现这对晶化及晶粒尺寸都有一定的影响.
作者：夏月辉; 陈明华; 周玮; 谢世钟 刊期：2005年第02期
介绍了衡量接收特性的误码函数和Q因子,并以此为基础对突发接收模块中影响接收特性的因素,如判决电平偏离理想值、信号的消光比、信号间干扰、带宽滤波效应等进行了研究分析,对突发接收模块的设计具有重要意义.
作者：王汝言; 吴畏; 阳小龙; 隆克平; 朱维乐 刊期：2005年第02期
光突发交换(OBS)网络中,偏射路由算法是有效地解决突发竞争、提高网络性能的一种重要措施,但通过分析发现,它可能会导致偏射路由上正常(非偏射)突发的丢失率上升.提出了一种基于竞争控制的条件偏射路由算法,根据定义的偏射条件检测函数,有条件的偏射或丢弃竞争突发来保证偏射路由上正常突发的QoS.仿真表明该算法可以很好地控制偏射突发对网络偏...
