首页 期刊 鞍山师范学院学报 β-SiC纳米薄膜热导率的数值模拟研究 【正文】

β-SiC纳米薄膜热导率的数值模拟研究

作者:白素媛; 贾孟晗; 吴宝丽; 丛士博; 白容榕 辽宁师范大学物理与电子技术学院; 辽宁大连116029
分子动力学   热导率   数值模拟  

摘要:采用非平衡分子动力学的方法,在COMPASS力场下计算了β-SiC纳米薄膜热导率.当其厚度在3.426~6.905 nm范围内变化时,β-SiC薄膜热导率在5.054~9.654 Wm-1K-1之间;当系统温度在300~1000 K范围内时,其热导率在7.315~8.324 Wm-1K-1之间.计算结果表明:在选定的薄膜厚度范围内,热导率随薄膜厚度的增加而增加,表现出明显的尺度效应;当系统温度变化时,其热导率也发生改变,但影响较小.

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